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DMN3016LPS-13  与  BSC120N03MS G  区别

型号 DMN3016LPS-13 BSC120N03MS G
唯样编号 A-DMN3016LPS-13 A-BSC120N03MS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ
上升时间 - 4.4ns
Qg-栅极电荷 - 20nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 25S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10.8A(Ta) 39A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 5ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.18W(Ta) 28W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@20A,10V -
典型关闭延迟时间 - 7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3M
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 7.9ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC120N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC120N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC120N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC120N03MSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

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